SISTEMA DE DEPOSICIÓN DE CAPAS ATÓMICAS (ALD) PARA LA DEPOSICIÓN DE ÓXIDOS Y METALES EN CAPA FINA

  • La deposición de capas atómicas (ALD) es una tecnología de crecimiento de películas finas capaz de depositar películas aislantes uniformes y sin agujeros de alfiler para dispositivos electrónicos (de potencia y RF). ALD ofrece conformidad excepcional en las estructuras de zanja y vía de alta relación de aspecto, control de espesor a nivel de angstrom, y composición de película sintonizable basada en reacciones secuenciales y autolimitadas. Samco proporciona un sistema ALD térmico de carga abierta altamente flexible AL-1 y un sistema ALD mejorado por plasma de bloqueo de carga AD-230LP.

ALD Systems

La deposición de capas atómicas (ALD) es una tecnología de deposición de películas finas a escala atómica que utiliza la reacción química entre las superficies de las muestras y los precursores en pulsaciones secuenciales. En comparación con la tecnología convencional de deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD), la velocidad de deposición es lenta, pero puede conseguirse un recubrimiento de película fina conforme en estructuras de zanja y de orificio pasante con una elevada relación de aspecto. Además, durante los procesos ALD no se producen daños físicos ni eléctricos en las superficies de las muestras, algo habitual en los procesos PECVD debido al bombardeo de iones. También, varios tipos de películas finas (óxidos, fluoruros, nitruros, metales y más) pueden ser formados usando una variedad de materiales precursores.

El Samco AL-1 es una herramienta ALD térmica de carga abierta altamente flexible para uso en I+D. Este sistema es el resultado del desarrollo de la tecnología ALD de Samco desde los años 80. Múltiples líneas de gas y fuentes de líquido ofrecen una amplia gama de soluciones de procesamiento de materiales para varios campos de investigación incluyendo dispositivos de energía de próxima generación y nano-electrónica.

El sistema es capaz de calentar la cámara hasta 500 °C. Además, el sistema es capaz de conmutar gases a alta velocidad. Estas características hacen que los procesos sean repetibles y controlables. El depósito de una capa atómica cada vez permite controlar con precisión el grosor de la película a nivel de Å individuales. La cobertura de los pasos es extremadamente buena, y es posible depositar en zanjas y estructuras de alto aspecto. En el caso de la deposición de película de AlOx, se logró la cobertura de patrones de zanja con una relación de aspecto superior a 40. Además, la película mostró una rigidez dieléctrica de 7,5 MV/cm.

Además, el sistema está diseñado para reducir al mínimo el consumo de precursores, lo que ayuda a minimizar los costes de consumibles en el funcionamiento de un sistema ALD. Para facilitar el mantenimiento, el sistema cuenta con un escudo de protección para evitar la deposición en el calentador.

  • Plasma Enhanced ALD System AD-800LP

    Excellent repeatability & stability

  • Thermal ALD System AL-1

Principales características y ventajas

Deposición autolimitada capa a capa
Recubrimiento conforme de las estructuras de alta relación de aspecto
Sin agujeros ni partículas
Amplia gama de materiales precursores y procesos

Esquema del flujo del proceso ALD

Deposición de la película AIOx utilizando TMA (trimetilaluminio) y plasma H2O / O2.
Repetición del ciclo de A a D.
Sólo queda una capa atómica en la superficie del sustrato tras la purga en el paso B (autolimitación).

Para ampliar información: info@irida.es