PECVD Systems
Deposición de películas delgadas de alta calidad
Deposición de películas delgadas de alta calidad
Los sistemas PECVD de NANO-MASTER permiten la deposición controlada de SiO₂, Si₃N₄, CNT, DLC o SiC con una calidad excepcional. Según la aplicación, pueden utilizarse fuentes de plasma de RF, cátodo hueco, ICP o microondas.
La platina admite obleas de hasta 8″, con posibilidad de polarización mediante RF, CC pulsada o CC continua, alcanzando temperaturas de hasta 800 °C gracias a calentamiento resistivo o por lámparas IR. La cámara opera en un rango de presión de 5×10⁻⁷ Torr, soportada por un sistema de bombeo de alta eficiencia. Todo el proceso se controla de forma automatizada mediante PC LabVIEW.
Características principales
- Fuentes de plasma múltiples: RF, cátodo hueco, ICP o microondas, adaptadas a cada aplicación.
- Calentamiento de platina hasta 800 °C, resistivo o con lámparas IR.
- Compatibilidad con obleas de hasta 8″.
- Presión de operación ultrabaja: 5×10⁻⁷ Torr, con bomba turbomolecular de 250 l/s respaldada por bomba mecánica.
- Automatización completa mediante control PC LabVIEW.
Aplicaciones
- Encapsulación e aislamiento.
- Estructuras fotónicas avanzadas.
- Recubrimiento de DLC.
- CNT para dispositivos de memoria.
- Capa de pasivación en células solares.
- Grafeno para electrónica a escala nanométrica.
Opciones disponibles
Fuente CP para plasma de alta densidad.
Sesgo CC pulsado del sustrato.
Sustrato LF para control preciso de tensión de película.
Platina giratoria para recubrimiento uniforme de piezas 3D.
Carga/descarga automática.
Burbujeadores para organometálicos con líneas de gas calentadas.
Caja de gas segura para gases tóxicos con monitores integrados.
Detección de punto final para mayor precisión.
Compatibilidad con dopantes: PH₃, B₂H₆ y más.
