Sputtering Systems
NSC 4000
Pulverización catódica de alta precisión para metales y dieléctricos
Los sistemas de sputtering de última generación de NANO-MASTER están diseñados para la deposición de metales y películas finas dieléctricas en sustratos de hasta 200 mm.
Los equipos pueden configurarse con fuentes de CC, RF y CC pulsada, lo que permite sputtering secuencial o co-sputtering. El sistema incorpora un paquete de bombeo turbomolecular que alcanza presiones de base de 5×10⁻⁷ Torr.
La distancia ajustable entre magnetrón y sustrato, junto con la platina giratoria y magnetrones fuera del eje, asegura la máxima uniformidad y control en la velocidad de deposición. Además, se integra un monitor de espesor de cristal para finalizar el proceso de forma automática.
La platina admite calentamiento hasta 800 °C y puede polarizarse mediante RF.
Características principales
- Fuentes de CC, RF y CC pulsada, para máxima versatilidad en deposición.
- Presión base de 5×10⁻⁷ Torr, gracias a bombeo turbomolecular de alto rendimiento.
- Platina giratoria con magnetrones fuera del eje para mejor uniformidad.
- Distancia magnetrón-sustrato ajustable para optimizar uniformidad y tasa de deposición.
- Monitor de espesor de cristal para control automático de procesos.
- Calentamiento de platina hasta 800 °C, con opción de polarización por RF.
Aplicaciones
- Revestimientos ópticos e ITO.
- Recubrimientos duros para protección y desgaste.
- Recubrimientos protectores sobre materiales sensibles.
- Patrones microelectrónicos de alta precisión.
- TCO para OLEDs y dispositivos optoelectrónicos.
Opciones disponibles
Calentamiento o enfriamiento del sustrato (hasta 800 °C).
Deposición en ángulo oblicuo (GLAD) con rotación.
Tamaños de cámara personalizados según aplicación.
Fuente CC pulsada (1,5–5 kW) para ITO, ZnO y materiales similares.
Magnetrones inclinados para mayor flexibilidad.
Sustrato polarizado por RF.
Fuente de iones para limpieza del sustrato.
Sputtering asistido por iones para mayor densificación de la película.
Fuentes adicionales de CC/RF para co-sputtering.
Fuentes térmicas y de haz electrónico.
MFC adicionales para sputtering reactivo.
Carga y descarga automáticas.
Opciones de criobombeo para alto vacío.
