PECVD – Deposición química en fase vapor mejorada por plasma
PECVD es una tecnología de deposición para depositar películas finas utilizando tecnología de plasma. En comparación con otras tecnologías de deposición, como el PVD y el CVD térmico, ampliamente utilizadas para la fabricación de dispositivos semiconductores, el PECVD puede depositar películas finas con gran uniformidad sobre las obleas a una temperatura relativamente baja (menos de 350°C). Además, esta tecnología de deposición por plasma ofrece un excelente control de las propiedades del material (índice de refracción, dureza, etc.) de películas finas como SiO2, SiNx, a-Si, SiON y DLC.
La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) es una tecnología para formar una película fina mediante la generación de radicales activos e iones sobre un sustrato objetivo convirtiendo un gas reactivo en un estado de plasma y provocando una reacción química sobre el sustrato objetivo a depositar. Se utiliza para depositar una película de nitruro de silicio (SiN) como película de pasivación y una película de óxido de silicio (SiO₂) como película aislante entre capas en el proceso de fabricación de semiconductores compuestos y semiconductores de silicio.
Disponemos de dos maneras diferentes de deposición
* Plasma
* Líquido
Vamos a ver en detalle los diferentes sistemas dentro de cada uno
– Plasma Enhanced CVD Systems
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Plasma Enhanced CVD System PD-220NL
Compact loadlock system for R&D
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Plasma Enhanced CVD System PD-2201LC
Space-saving production system
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Plasma Enhanced CVD System PD-3800L
Tray based batch processing
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Liquid Source CVD Systems
LSCVD es una técnica única de CVD mejorada por plasma que utiliza una fuente de TEOS líquido y permite la deposición de películas de SiO2 sin tensiones a temperaturas de 80~300°C. El fuerte campo eléctrico de vaina que rodea la etapa de muestra acoplada al cátodo genera un alto nivel de energía iónica, lo que permite la deposición de películas de óxido de silicio con baja tensión interna, desde películas finas a películas gruesas (hasta 100 μm). Además, las películas de LSCVD™ son increíblemente conformes, y la capacidad de depositar en agujeros de alto aspecto hace que el sistema sea especialmente adecuado para aplicaciones TSV y MEMS.
El sistema de fuente líquida CVD es un sistema de baja temperatura (80 ~ 400°C), alta velocidad (>300 nm/min) de plasma mejorado CVD para R&D. El sistema LSCVD único de Samco utiliza técnicas de deposición de auto-prejuicio y un TEOS para depositar películas de SiO2 con baja tensión, desde películas delgadas hasta películas extremadamente gruesas (hasta 100 µm).
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Liquid Source CVD System PD-200STL
Loadlock system up to ø200 mm
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Liquid Source CVD System PD-270STLC
Cassette loading system
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Liquid Source CVD System PD-330STC
Processing up to ø300 mm
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Liquid Source CVD System PD-100ST
Open-load system for R&D
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