La deposición en la nanofabricación es un proceso que consiste en depositar capas finas de material sobre un sustrato para crear nanoestructuras con propiedades específicas. Existen diferentes técnicas de deposición, como la deposición física de vapor (PVD)1, la deposición química de vapor (CVD) y la deposición de capa atómica (ALD)
Utilizado en la fabricación de semiconductores compuestos y dispositivos de silicio, los sistemas de Deposición de Vapor Químico Realzado por Plasma (PECVD) son diseñados para la deposición de películas de aislamiento y pasivación. Los sistemas PECVD de Samco pueden depositar películas finas de alta calidad basadas en silicio (SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H). Samco ofrece sistemas de PECVD de ánodo para la deposición de película fina de alta calidad y sistemas de PECVD de cátodo para la deposición de alta velocidad dependiendo del objetivo de proceso del cliente
CVD
La PECVD es una tecnología de deposición de películas finas mediante plasma. En comparación con otras tecnologías de deposición, como PVD y CVD térmico, ampliamente utilizadas para la fabricación de dispositivos semiconductores, PECVD puede depositar películas finas con gran uniformidad sobre las obleas a una temperatura relativamente baja (menos de 350°C). Además, esta tecnología de deposición por plasma ofrece un excelente control de las propiedades del material (índice de refracción, dureza, etc.) de películas finas como SiO2, SiNx, a-Si, SiON y DLC.
Utilizado en la fabricación de semiconductores compuestos y dispositivos de silicio, los sistemas de Deposición de Vapor Químico Realzado por Plasma (PECVD) son diseñados para la deposición de películas de aislamiento y pasivación. Los sistemas PECVD de Samco pueden depositar películas finas de alta calidad basadas en silicio (SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H). Samco ofrece sistemas de PECVD de ánodo para la deposición de película fina de alta calidad y sistemas de PECVD de cátodo para la deposición de alta velocidad dependiendo del objetivo de proceso del cliente
ALD SYSTEMS
La deposición de capas atómicas (ALD) es una tecnología de deposición de películas finas a escala atómica que utiliza la reacción química entre las superficies de las muestras y los precursores en pulsaciones secuenciales. En comparación con la tecnología convencional de deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD), la velocidad de deposición es lenta, pero puede conseguirse un recubrimiento de película fina conforme en estructuras de zanja y de orificio pasante con una elevada relación de aspecto. Además, durante los procesos ALD no se producen daños físicos ni eléctricos en las superficies de las muestras, algo habitual en los procesos PECVD debido al bombardeo de iones. También pueden formarse varios tipos de películas finas (óxidos, fluoruros, nitruros, metales y otros) utilizando diversos materiales precursores,
PVD SYSTEMS
Técnicas de deposición física de vapor (PVD). Básicamente, el material se calienta en una cámara de vacío hasta que los átomos de su superficie tienen energía suficiente para abandonar la superficie. En ese momento atravesarán la cámara de vacío, con energía térmica (menos de 1 eV), y recubrirán un sustrato situado por encima del material en evaporación (las distancias medias de trabajo son de 200 mm a 1 metro).
La presión en la cámara debe estar por debajo del punto en el que el camino libre medio es mayor que la distancia entre la fuente de evaporación y el sustrato. El camino libre medio es la distancia media que puede recorrer un átomo o una molécula en una cámara de vacío antes de colisionar con otra partícula, lo que altera su dirección en cierta medida. Suele ser de 3,0 x 10-4 Torr o inferior. La razón principal para trabajar en el extremo superior del intervalo de presión es permitir el empleo simultáneo de una fuente de haces de iones para la densificación de la película u otra modificación de sus propiedades.
