Microsonda XPS/HAXPES de barrido multitécnico totalmente automatizada
El PHI Genesis es la última generación de la exitosa línea de productos XPS multitécnicos de PHI con la fuente de rayos X de barrido, monocromática y microfocalizada patentada por PHI.
Es un sistema fácil de usar, totalmente automatizado con autoajuste y calibración y múltiples posiciones de estacionamiento para un alto rendimiento.
La plataforma multitécnica totalmente integrada del PHI Genesis ofrece una serie de fuentes de excitación opcionales, fuentes de iones sputter y capacidades de tratamiento y transferencia de muestras. Estas características son esenciales para el estudio de los materiales avanzados actuales y para satisfacer sus necesidades de caracterización de materiales y resolución de problemas.
PHI Genesis ofrece una alta sensibilidad y un alto rendimiento para áreas grandes y pequeñas de hasta 5 µm, así como un perfilado de profundidad no destructivo de alto rendimiento único utilizando la fuente Cr de rayos X duros opcional.
El instrumento es totalmente personalizable para satisfacer todas las necesidades analíticas.
Traducción realizada con la versión gratuita del traductor DeepL.com
Navegación intuitiva de la muestra e identificación segura del área de análisis
La microsonda de rayos X de barrido única permite una navegación similar a la del SEM con control de apuntar y hacer clic
La imagen de electrones secundarios inducida por rayos X (SXI) proporciona una correlación perfecta entre las áreas de imagen y la espectroscopia
SmartMosaic para navegación SXI de grandes áreas y mapeo químico de grandes áreas.
El único instrumento multitécnico XPS/HAXPES totalmente automatizado de alto rendimiento basado en laboratorio disponible comercialmente en el mercado
Manipulación de muestras de gran tamaño
Múltiples posiciones de estacionamiento
Transferencia y manipulación de muestras automatizadas
Cambio rápido y automatizado entre los modos XPS y HAXPES
Perfilado de profundidad optimizado
Múltiples opciones de cañón de iones (Ar monatómico, C60, clúster de argón GCIB) para una gran variedad de materiales orgánicos, inorgánicos y mixtos
Funcionalidad de platina de 4 ejes que incluye rotación/inclinación y calentamiento/enfriamiento durante el sputtering
Perfilado multipunto dentro de un único cráter de sputtering para el análisis de defectos on/off y muestras preciosas
Ángulo de recogida de sólidos ajustable para mejorar la resolución angular del análisis angular resuelto con software avanzado para el análisis de alto rendimiento de la estructura de la película.
Análisis superior de microáreas
La mayor sensibilidad de área pequeña del mercado
Tamaño de microsonda <5 micras en x e y para fuente de rayos X de Al y <14 micras para fuente de rayos X de Cr
Registro de imágenes para el análisis automatizado de microáreas sin supervisión
Lleve las capacidades del sincrotrón HAXPES a su laboratorio con el PHI Genesis
La profundidad de la información analítica utilizando la fuente de rayos X de Cr es aproximadamente 3 veces más profunda que con la fuente de rayos X de Al
Sondeo de estructuras de películas más gruesas e interfaces enterradas, minimizando los efectos de la contaminación superficial y el daño químico inducido por iones durante el perfilado en profundidad
Conjunto de soluciones especializadas para la caracterización in situ de materiales avanzados
Estructura de banda electrónica de materiales orgánicos e inorgánicos mediante mediciones UPS, LEIPS y REELS desde la misma ubicación de la muestra.
Experimentos electroquímicos (polarización, estudios de polarización)
Recipiente de transferencia de muestras inerte
Espectroscopia Auger de alta energía y alta resolución espacial totalmente integrada con cartografía elemental en el lugar exacto de interés como XPS
Capacidades
Fuente de rayos X de barrido microfocalizada y funcionamiento similar al SEM
Análisis optimizado del perfil de profundidad de las películas finas
Caracterización completa de la estructura de bandas electrónicas
Espectroscopia de electrones Auger (AES)
Espectroscopia de pérdida de energía de electrones por reflexión (REELS)Ventajas de una fuente de rayos X dura
Ventajas de una fuente de rayos X dura
HAXPES en laboratorio
Ventajas de combinar XPS con HAXPES
Para ampliar información info@irida.es
