Sistemas PA-MOCVD
NANO-MASTER ha desarrollado el primer sistema de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PA-MOCVD) para procesos de deposición de GaN, InGaN y AlGaN. En este sistema único, al disponer de una fuente de plasma se utiliza N2 en lugar de NH3 para el crecimiento de nitruros, eliminando así el abatimiento de NH3 y reduciendo el contenido de H2 en las películas. La mejora del plasma a través de la fuente de plasma con cabezal de ducha de RF también permite temperaturas de deposición más bajas (600°C frente a 1100°C), lo que hace posible ofrecer este proceso en un sistema de sobremesa.
Se puede conseguir un mayor rendimiento de fabricación mediante la agrupación.
Características
Opciones
Aplicaciones
Sistema de sobremesa
Cámara de acero inoxidable de 10
Fuente de plasma de RF con distribución de gas por ducha
Sintonizador automático
Soporte de sustrato de 4″, calentado hasta 900°C
Cinco burbujeadores con baños individuales de refrigeración/calefacción
Líneas de gas calentadas
MFC adicionales
Paquete de bombeo turbomolecular de 250 l/s
Presión base de 5×10-7 torr
Totalmente automatizado, basado en PC y controlado por recetas
Interfaz de usuario LabVIEW
Protección EMO y enclavamientos de seguridad
Aplicaciones
Capas semiconductoras III-V
LED azules
Diodos láser
Nanorods de InN en optoelectrónica UV-Vis-IR
MoS2, BN y grafeno en materiales 3D y 2D
Para ampliar información info@irida.es
