MOCVD

PA-MOCVD – Plasma Assisted MOCVD Systems

Innovación en la deposición de nitruros con plasma asistido

NANO-MASTER ha desarrollado el primer sistema de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PA-MOCVD) para procesos avanzados con GaN, InGaN y AlGaN.
Este sistema único sustituye NH₃ por N₂, eliminando la necesidad de abatimiento de amoníaco y reduciendo el contenido de hidrógeno en las películas.
Gracias a la fuente de plasma con cabezal de ducha RF, permite trabajar a temperaturas más bajas (600°C frente a 1100°C), lo que lo hace viable incluso en un sistema de sobremesa.

Además, el diseño admite agrupación para mayor rendimiento de fabricación.

Características Principales

Precisión, control y diseño compacto

  • Sistema de sobremesa con cámara de acero inoxidable de 10″.
  • Fuente de plasma RF con distribución por ducha, optimizada para deposición uniforme.
  • Sintonizador automático para ajuste de plasma.
  • Soporte de sustrato de 4″, calentado hasta 900°C.
  • Cinco burbujeadores con control independiente de temperatura (calefacción/refrigeración).
  • Líneas de gas calentadas y MFC adicionales.
  • Paquete de bombeo turbomolecular de 250 l/s, con presión base de 5×10⁻⁷ Torr.
  • Control totalmente automatizado basado en PC, interfaz LabVIEW, recetas programables.
  • Protección EMO y enclavamientos de seguridad para máxima fiabilidad.

Aplicaciones del PA-MOCVD

Optoelectrónica, semiconductores y materiales avanzados

  • Capas semiconductoras III-V para dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
  • LED azules de alta eficiencia.
  • Diodos láser de última generación.
  • Nanorods de InN para aplicaciones UV–Vis–IR.
  • Materiales 2D y 3D: MoS₂, BN y grafeno.