Sistemas de Grabado (Etching)

• • • Sistema RIE de sobremesa

El Samco RIE-1C es un grabador de plasma RIE semi-automático de carga abierta con un tamaño pequeño. Es la solución ideal para        laboratorios de Investigación y Análisis de Falla de IC con muy poco espacio de mesa. Una vez configurada la receta, el proceso se inicia       pulsando un botón, y la secuencia incluye el bombeo del sistema, el inicio del flujo de gas, la potencia de RF y la ventilación de la cámara.       Una alarma acústica indica la finalización del proceso.

La RIE-1C incluye un enclavamiento de puerta y un interruptor de reinicio para garantizar la seguridad del operador y proteger el        sistema. La red manual de emparejamiento de RF y la válvula de mariposa eliminan posibles fallos del sistema y reducen el coste de     propiedad a largo plazo.

De serie, el sistema compacto puede alojar una oblea de 4″, un troquel o dispositivos empaquetados, con opción de ampliación a s     sustratos de 6″. El sistema incluye un carro compacto diseñado para alojar el generador de potencia de RF y la bomba de vacío.

• • • Sistemas RIE de carga abierta

Un sistema de carga abierta es donde el operador ventila la cámara de reacción, y manualmente coloca el sustrato en el mandril. El           Samco RIE-10NR, RIE-300NR, RIE-600NR y RIE-7000 son sistemas de grabado de ión reactivo de carga abierta completamente           automatizados que son dimensionados para 8″, 300 mm, o sustrato más grande (por ejemplo 400 mm cuadrados de sustrato de vidrio).     Los sistemas están diseñados para satisfacer los exigentes requisitos de proceso de las químicas de flúor, tanto para clientes de     investigación como de producción.

Un panel táctil informatizado que proporciona una interfaz fácil de usar para el control de parámetros y el almacenamiento de recetas.
Funcionamiento totalmente automático con un solo botón o control manual completo.
Un diseño de evacuación simétrica acoplado a una bomba turbo molecular crea un flujo de vacío eficiente. Una caja de suministro de gas de acoplamiento estrecho reduce el tiempo de permanencia debido a la longitud de las tuberías de suministro de gas.
Un cabezal de ducha optimizado para suministrar el gas de proceso de manera uniforme.

El resultado es una gama de sistemas de grabado por plasma con una amplia ventana de proceso, excelente control del proceso y uniformidad.

• • • Sistemas RIE con bloqueo de carga

Un sistema de bloqueo de carga tiene una cámara de reacción y una cámara de carga separada. La adición de un bloqueo de carga permite que la cámara de reacción permanezca en vacío, y el entorno controlado mejora la repetibilidad del proceso. Los sistemas de bloqueo de carga también suelen ser necesarios cuando se utilizan gases corrosivos o tóxicos, como el cloro, y cuando los subproductos del grabado son nocivos.

El RIE-200NL es un sistema de grabado iónico reactivo por plasma de alta precisión y con bloqueo de carga que puede utilizarse para grabar todo tipo de películas semiconductoras, aislantes y metálicas. Incluye todas las características de la plataforma de carga abierta, pero añade un escudo protector de superficie tratada que se levanta durante la carga del sustrato. El escudo protege el estado de la junta de la válvula de hendidura y también mejora la uniformidad.

• • SISTEMAS DRIE DE SILICIO-GRABADO IÓNICO REACTIVO PROFUNDO

Samco proporciona sistemas de grabado iónico reactivo profundo (DRIE) de silicio para la fabricación de dispositivos MEMS y grabado de orificios de vía TSV.
Samco fue el primer fabricante japonés de equipos de proceso de semiconductores en ofrecer sistemas DRIE utilizando el Proceso Bosch.
Nuestros sistemas tienen capacidades de proceso competitivas, y la línea de productos cubre tanto I+D como producción.
Para la fabricación de dispositivos de gran volumen, la opción de doble cámara de proceso está disponible.

• • • Sistema DRIE de bloqueo de carga (hasta ø4″)

Procesado de sustratos de Si de ø4″ y de vidrio

• • • Sistema DRIE de bloqueo de carga (hasta ø8″)

Capaz de grabar Si a alta velocidad en discos de ø8

• • • Sistema DRIE de carga de casetes (hasta ø8″)

Adecuada para el procesamiento de grandes volúmenes de obleas

• • XeF₂ ETCH SYSTEM FOR MEMS RELEASE

    • XeF₂ Vapor-phase Etching

El grabado en fase vapor con XeF2 es una potente técnica de grabado para la fabricación de microelectrónica.
La reacción química del proceso de grabado del silicio mediante vapor de XeF2 es la siguiente.

2XeF2 + Si → 2Xe (g) + SiF4 (g)

La superficie de silicio reacciona con XeF2, y forma la molécula subproducto de SiF4.
Este proceso de grabado sin plasma muestra una selectividad de grabado ilimitada del silicio frente a otros materiales como fotorresistentes, metales (Al, Ni, Cr) y semiconductores compuestos (GaAs, ZnO, PZT). La principal aplicación de este proceso es el grabado isotrópico del silicio para la liberación de estructuras MEMS, como los voladizos.

• • • XeF₂ Etch System

El Samco VPE-4F es un sistema de grabado con difluoruro de xenón (XeF2 ) diseñado principalmente para el grabado de capas de sacrificio de silicio en el procesamiento de dispositivos MEMS autónomos. Este proceso de grabado isotrópico muestra una alta selectividad de grabado del silicio frente al PDMS, parileno, SU8, dióxido de silicio (SiO2) y nitruro de silicio (SiNx).

El proceso de grabado es completamente en seco y elimina los problemas de adherencia que se producen durante el proceso convencional de grabado en húmedo. Además, su diseño, que ocupa poco espacio, hace que el sistema sea ideal para su uso sobremesa en investigación y desarrollo.

Características del Sistema

El sistema de grabado Samco XeF2 está diseñado para ofrecer soluciones de grabado de liberación repetible para dispositivos MEMS.

Huella Compacta

Unidad Principal : 400(W) x 600(D) x 430(H) mm
– minimiza los requisitos de espacio

Proceso sin plasma

– sin daños físicos ni cargas causadas por la descarga de plasma

Proceso completamente seco

– evita los daños por adherencia que pueden observarse en el proceso de grabado húmedo
– Elimina la necesidad de preprocesado y postprocesado que se requieren en el proceso húmedo.

Pulsación del flujo de gas

– permite controlar fácilmente la velocidad de grabado y el consumo de gas