ALD – Atomic Layer Deposition Systems
NLD-4000: Depósito Atómico de Alta Precisión
Automatización, versatilidad y uniformidad subnanométrica
El NLD-4000 es un sistema ALD autónomo de última generación, controlado por PC y totalmente automatizado, diseñado para el depósito de óxidos y nitruros de alta calidad (AlN, GaN, TaN, TiN, Al₂O₃, ZrO₂, LaO₂, HfO₂).
Gracias a su cámara de aluminio calefactada de 13”, ofrece procesos confiables y reproducibles para aplicaciones en semiconductores, MEMS y fotovoltaica.
Expande las capacidades de tu laboratorio
El sistema puede configurarse con:
Carga/descarga automática sin aumentar el espacio ocupado.
Fuente ICP planar con plasma remoto para ALD mejorado por plasma (ciclos más rápidos).
Paquete de bombeo turbomolecular para presiones base más bajas.
Características Principales
Precisión y control para procesos avanzados
El NLD-4000 está optimizado para ofrecer uniformidad excepcional y tiempos de ciclo rápidos, integrando funciones de automatización y seguridad para entornos de sala limpia.
- Uniformidad inferior a 1Å en cada deposición.
- Cámara de Al anodizado de 13″ con paredes calefactadas.
- Calentador de sustrato hasta 400°C.
- Guantera integrada con capacidad para 7 cilindros de precursores de 50cc.
- Válvulas de gas de pulso rápido + bomba turbomolecular maglev de 300 l/s.
- Control automático mediante LabVIEW, con bloqueo de seguridad y recetas configurables.
- Diseño compacto (26″ × 44″), ideal para salas blancas.
Aplicaciones del NLD-4000
Soluciones para múltiples industrias
El NLD-4000 se adapta a una amplia gama de aplicaciones:
- Dieléctricos de alta k para semiconductores.
- Capas hidrófobas y de pasivación.
- Barreras de difusión de alta relación de aspecto para interconexiones de cobre.
- Recubrimientos conformales para microfluidos.
- Pilas de combustible, recubrimientos monometálicos para capas catalizadoras.
